Samsung представил 1-Тбит микросхему V-NAND для твердотельных накопителей

Samsung представил 1-Тбит микросхему V-NAND для твердотельных накопителей Фото: techpowerup.com

Новый чип с вертикальной структурой ячеек памяти позволит создавать гораздо более емкие SSD, в сравнении с привычными массовыми накопителями.

Южнокорейский вендор в сфере высоких технологий планирует и дальше оставаться на гребне рыночных инноваций. По заявлению инженеров Samsung, 16 новых чипов, объединенных на одной подложке, позволят выпускать 2-ТБ накопители, в частности, в набирающем популярность компактном форм-факторе M.2. Подобные решения для мультимедийных систем либо производительных рабочих станций составят реальную конкуренцию традиционным механическим винчестерам в плане плотности хранения информации.

Представленные в начале августа микросхемы выйдут на потребительский рынок ориентировочно в I кв. будущего года, и помимо настольного сегмента найдут себе применение также в мобильных гаджетах.